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师资队伍

赖 伟

赖伟

学历:博士

职称:副教授,硕导

邮箱:laiweicqu@126.com

研究方向:大容量电力电子器件及装备可靠性
  • 个人简介
  • 人才培养
  • 科学研究
  • 学术兼职

副教授、硕士生导师、IEEE高级会员。入选2022年爱思唯尔“全球前2%顶尖科学家榜单”,201309月至201505月以国家公派联合培养博士赴英国Warwick大学进行访问学习,2016年入职重庆大学电工理论与新技术系,现为重庆大学副教授,主要研究方向为电力电子器件及装备失效机理、可靠性评估、寿命建模等领域。围绕电力电子器件的可靠性、测试以及电力电子应用等方面进行了一系列研究工作。近几年来,在IEEE Transactions on Power ElectronicsIEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power ElectronicsIEEE Transactions on Device and Materials ReliabilityIET Power Electronics、中国电机工程学报、电工技术学报等发表了高水平期刊和会议论文近40篇;主持国家重点研发项目子课题、国家自然科学青年基金项目、中国博士后基金、重庆市人工智能技术创新重大主题专项项目、山西省科学技术厅揭榜招标项目等10余项,参与国家重点研发计划、973计划、国家国际科技合作专项、国家自然科学基金重点及面上项目等多项;授权国家发明专利10余项。

参与撰写科学出版社专著2本;获重庆市科技进步奖二等奖2项(排名第1、排名第2、获得重庆市教学成果一等奖1项(排名11);主持重庆市教改一般项目1项。

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[2] Wei Lai*, Hanrui Li, Hui Li, Minyou Chen, Ran Yao, Renkuai Liu, Hongjian Xia and Anbin Liu. Time-varying Cumulative Damage Recursive Method for Power Semiconductor Devices[J]. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2023, 70 (12): 12795-12805

[3] Wei Lai*, Minyou Chen, Li Ran, Shengyou Xu, Nan Jiang, Xuemei Wang, O. Alatise, and P. A. Mawby. Experimental Investigations on the Effects of Narrow Junction Temperature Cycles on Die-attach Solder Layer in an IGBT Module[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2017, 32(2): 1431-1441.

[4] Wei Lai*, Minyou Chen, Li Ran, O. Alatise, Shengyou Xu and P. A. Mawby. Low DTj Stress Cycle Effects in IGBT Power Module Die-attach Lifetime Modelling[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2016, 31(9): 6575-6585.

[5] Wei Lai*, Hui Li, Minyou Chen, Shengyang Kang, Hai Ren, Ran Yao, Liangming Pan, Rui Jin. Investigation on the Effects of Unbalanced Clamping Force on Multichip Press Pack IGBT Modules[J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2019, 7(4): 2314-2322.

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[7] Wei Lai*, Zhi Wang, Yulong Hu, Minyou Chen, Hongjian Xia, Dan Luo, YunHai Wei, Bing Gao and Yigao Chen. Evaluation of IGBT Module Remaining Lifetime in Wind Power Converters Considering Impacts of Failure Location[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(4): 1810-1818.

[8] Minyou Chen, Dan Luo, Wei Lai*, Hongjian Xia, Hui Li and Kai Yu. A Fault Detection Method for Partial Chip Failure in Multichip IGBT Modules based on Turn-off Delay Time [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (6): 3319-3327.

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[11] 魏云海, 陈民铀, 赖伟*, 张金保, 胡宇隆. 基于IGBT结温波动平滑控制的主动热管理方法综述[J]. 电工技术学报, 2022, 37(06): 1415-1430.

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[14] 邓真宇, 陈民铀, 赖伟*, 李辉, 王晓, 罗丹, 夏宏鉴. 多芯片并联压接式IGBT-力不均对电流分布的影响分析及建模[J]. 中国电机工程学报, 2020, 40(23): 7699-7710.

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[16] 王月月, 陈民铀, 赖伟*, 陈一高, 罗丹. 基于MOSFET外特性参量的自适应模糊神经网络状态评估模型[J]. 电工技术学报, 2018, 33(18): 4286-4294.

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[18] 赖伟*, 陈民铀, 冉立等. 老化试验条件下的IGBT失效机理分析[J]. 中国电机工程学报, 2015, 35(20): 5293-5300.